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Inventory:41000 Min Order：10
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  • Model：TPCF8101
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS40K
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：F3A
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		28mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -3A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.5~-1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 22 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 14 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −12 V) • Enhancement model: Vth = −0.5 to −1.2 V (VDS = −10 V, ID = −200 μA)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOS III） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RDS（ON）= 22mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|=14 S（典型值） •低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-12 V） •增强模式：Vth =-0.5〜-1.2 V （VDS= -10 V，ID= -200μA）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TPCF8101
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