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Inventory:3964 Min Order：10
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  • Model：AAT9125IAS-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：GA6V
  • Package：SOIC8/SOP8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		1.25A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		11.5mΩ@ VGS = 4.5V,ID = 10A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.5W
Description & ApplicationsN-Channel Power MOSFET Feature Low Rds(ON) Applications • DC-DC converters for mobile CPUS • Battery-powered portable equipment • High power density switch-mode supplies • point-of-use power supplies
描述与应用N沟道功率MOSFET 特点 低RDS（ON） 应用 •移动CPU的DC-DC转换器 •电池供电的便携式设备 •高功率密度开关模式电源 •使用点电源

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
AAT9125IAS-T1
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