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Inventory:2320 Min Order：10
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  • Model：2N5551S
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB1500 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZF
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		600mA/0.6A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		100~400MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		80~250
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		500mV/0.5V
耗散功率Pc
Power Dissipation		625mW/0.625W
Description & ApplicationsNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complementary to 2N5401
描述与应用NPN平面外延硅晶体管 简述 •通用放大器 •高电压施加 特点 •高集电极击穿电压 •低集电极饱和电压 •互补型2N5401

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N5551S
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