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Inventory:4900 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：RJU002N06
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+NOPB 07+ROHS
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ML
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT3

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.24mA,@3A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & Applications2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive)
描述与应用2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动（2.5V驱动器）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RJU002N06
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