集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 65V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 110~220 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 600mV/0.6V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant |
| 描述与应用 | 特点 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：>4000 V ESD额定值 - 机器型号：> 400 V •这些器件是无铅，无卤/ BFR免费，并符合RoHS标准 |