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Inventory:11700 Min Order：100
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  • Model：2SJ0674E01JN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code： 09NOPB
  • Standard Package：10000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：5U
  • Package：sot-723

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		9Ω @-10mA,-4V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.5--1.5
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon P-channel MOSFET For switching circuits Features Low ON resistance R Low ON resistance Ron Low ON resistance Ron High-speed switching High-speed switching SSSMini type package, allowing downsizing of the equipment and SSSMini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing
描述与应用硅P沟道MOSFET 用于开关电路 特性 低导通电阻R低ON电阻Ron 导通电阻Ron 高速开关高速开关 型包装SSSMini，允许的的设备和SSSMini型封装的小型化，使设备小型化，并 通过自动插入磁带包装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ0674E01JN
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