Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI2333DS-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08NOPB 08NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：E3
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4.7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.031Ω @-4.7A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4V-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用功率MOSFET

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2333DS-T1
*Title：
Message：
*Code：