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  • Model：2SD1918TLQ
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D1918
  • Package：TO-252/CPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		160V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		1.5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		80MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		120~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		2V
耗散功率Pc
Power Dissipation		1W
Description & ApplicationsPower Transistor Features * High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) * Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) * High transition frequency.(fT = 80MHZ) * Complements the 2SB1275 / 2SB1236A.
描述与应用功率晶体管 特点 *高击穿电压（BVCEO=160V）。 *低集电极输出电容。    （典型值20pF的VCB=10V） *高转换频率（FT =80MHZ）。 *补充2SB1275/2SB1236A的。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD1918TLQ
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