集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 160V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 160V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 80MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 120~390 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Power Transistor Features * High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) * Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) * High transition frequency.(fT = 80MHZ) * Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. |
| 描述与应用 | 功率晶体管 特点 *高击穿电压（BVCEO=160V）。 *低集电极输出电容。 （典型值20pF的VCB=10V） *高转换频率（FT =80MHZ）。 *补充2SB1275/2SB1236A的。 |