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  • Model：MTM78E2B0LBFTR-ND
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：5A
  • Package：WMini8-F1

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		36mΩ@ VGS =2.5V, ID =1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		700mW/0.7W
Description & ApplicationsFor lithium-ion secondary battery protection circuit Feature Dual P-channel MOS FET in one package 2.85V drive Low drain-source ON resistance Eco-friendly Halogen-free package
描述与应用对于锂离子二次电池的保护电路 特点 双P沟道MOS场效应管在一个封装中 2.85V驱动 低漏源导通电阻 环保型无卤素封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MTM78E2B0LBFTR-ND
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