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Inventory:6000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：IRF5852TR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：EE
  • Package：SOT-163/SOT23-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		2.7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		120mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.25V
耗散功率Pd
Power Dissipation		960mW/0.96W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 双N沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
IRF5852TR
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