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  • Model：ZXMN7A11KTC
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0634NOPB
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZXMN7A101
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage70V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current6.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation4.06W
Description & Applications70V N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=6.1A Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • DPAK package
描述与应用70V N沟道增强型MOSFET 总结 V（BR）DSS=70V的RDS（on）= 0.13？ ID=6.1A 描述 这种新一代沟道MOSFET由Zetex采用了独特​​的 结构，结合具有快速的低导通电阻的好处 开关速度。这使得它们成为理想的高效率，低电压 电源管理应用。 •低导通电阻 •开关速度快 •低门槛 •低栅极驱动器 •DPAK封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ZXMN7A11KTC
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