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Inventory:700 Min Order：10
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  • Model：ZXM61N02FTA
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+nopb 07+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：n02
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current1.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation625mW/0.625W
Description & ApplicationsV(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.18V; ID=1.7A DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • SOT23 package
描述与应用V（BR）DSS =20V; RDS（ON）=0.18V，ID=1.7A 说明 Zetex的新一代高密度的MOSFET采用了独特​​的 结构，结合快速开关的低导通电阻的好处 速度。这使得它们成为理想的高效率，低电压，功率 管理应用程序。 •低导通电阻 •开关速度快 •低门槛 •低栅极驱动器 •SOT23封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ZXM61N02FTA
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