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Inventory:3000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI1501DL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+ 03+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：rn
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V/8V
最大漏极电流Id
Drain Current		250mA/-180mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		2Ω@ VGS =4.5V, ID =250mA/3.8Ω@ VGS =-4.5V, ID =-180mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1.5V/-0.4~-1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
描述与应用互补的20-V（D-S） 低阈值MOSFET

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1501DL
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