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  • Model：PMBT5551
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：pG1
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		300mA/0.3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		300MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		250
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		150mV~200mV
耗散功率Pc
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & ApplicationsNPN high-voltage transistor FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose • Telephony. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
描述与应用NPN高电压晶体管 特点 •低电流（最大300毫安） •高电压（最大160 V）。 应用 •通用 •电话。 说明 NPN高压晶体管在SOT23塑料包装。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMBT5551
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