集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 70mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 7GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 90~200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | NPN epitaxial planer Silicon transistor VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications Features · Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). · High gain : |S21e|*2 =12dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=7GHz typ. · Ultrasmall, slim flat-lead package. (1.4mm×0.8mm×0.6mm) |
| 描述与应用 | NPN外延刨床硅的晶体管 VHF，UHF低噪声宽波段 放大器的应用 特点 ·低噪音：NF=1.0分贝典型值（F =1GHz的）。 ·高增益：S21E| *2 =12分贝典型值（F =1GHz的）。 ·高截止频率：FT =7GHz的典型。 ·超小，超薄扁平引线封装。 （1.4毫米×0.8毫米×0.6毫米） |