Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK932-23
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07nopb 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：E23
  • Package：SOT-23/SC-59/CP

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		15v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		10~17ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.2~-1.4v
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-channel junction silicon FET High-Frequency Low=noise Amp Applications Applications AM tuner RF amp, low-noise amp Features Adoption of FBET process Very low noise figure Very small-sized package permitting 2SK932-applied sets to be made smaller and slimmer
描述与应用N沟道结硅FET 高频 低噪声放大器应用 应用 AM调谐器RF放大器，低噪声放大器 特点 采纳FBET过程 非常低的噪声系数 非常小的封装允许2SK932应用设置更小和更薄

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK932-23
*Title：
Message：
*Code：