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Inventory:2800 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：HAT2204C
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：VU
  • Package：SOT-363

Drain-Source Voltage （Vds）  12V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  8V
Drain Current （Id）  3.5A
Drain-Source On-State （Rds）  RDS(on) = 26m Ω typ.(at VGS = 4.5 V)

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  
Power dissipation （Pd）  900MW
Description & Applications  Silicon N Channel MOS FET 
Power Switching 
 
• Low on-resistance 
RDS(on) = 26m Ω typ.(at VGS = 4.5 V) 
• Low drive current 
• High density mounting 
• 1.8 V gate drive device 
 

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HAT2204C
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