最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | 30V/-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage | 12V/-12V |
最大漏极电流Id
Drain Current | 1.5A/1.0A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance | 240mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 1500mA/ 390mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -1000mA |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage | 0.5~1.5V/-0.7~-2.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET ●Structure： Silicon N-channel MOS FET Silicon P-channel MOS FET ●Features： 1) Nch MOS FET and PchMOS FET are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, lowOn-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode ●Applications： Switching |
| 描述与应用 | 2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET ●结构： 硅N沟道MOS FET 硅P沟道MOS FET ●特点： 1）N沟道MOS FET和PchMOS FET把在TUMT6包。 2）高速开关，电阻lowOn。 3）低电压驱动（2.5V驱动器）。 4）内置G-S的保护二极管 ●应用范围： 交换 |