最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | -20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage | -8V |
最大漏极电流Id
Drain Current | -860mA/-0.86A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance | 240mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -0.2A |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage | -0.45~1V |
耗散功率Pd
Power Dissipation | 170mW/0.17W |
| Description & Applications | Small Signal MOSFET Features • Low RDS(on) Improving System Efficiency • Low Threshold Voltage • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • These are Pb−Free Devices Applications • Load/Power Switches • Battery Management • Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc. |
| 描述与应用 | 小信号MOSFET 特点 •低的RDS（on） 提高系统效率 •低阈值电压 •小尺寸1.6×1.6毫米 •这些都是无铅设备 应用 •负载/功率开关 •电池管理 手机，数码相机，掌上电脑，传呼机等。 |