集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 300V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 50Mhz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 40 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 225mW/0.225W |
| Description & Applications | High Voltage Transistors NPN Silicon Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish |
| 描述与应用 | 高电压晶体管 NPN硅 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成 |