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  • Model：2SK663-R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：2BR
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		55v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -55v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		5~12ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •For switching •Low noise-figure (NF) •High gate to drain voltage VGDO Features lLow noise-figure (NF) lHigh gate to drain voltage VGDO lS-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •对于开关 •低噪声系数（NF） •高门漏极电压VGDO的 特点 LLOW噪声系数（NF） lHigh栅漏电压VGDO LS-迷你型包装，通过自动插入磁带/盒包装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK663-R
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