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Inventory:28000 Min Order：10
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  • Model：AM3457P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：577
  • Package：SOT-163/SOT23-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 -30
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 20V
最大漏极电流Id
Drain Current		 -5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		 75mΩ@ VGS = -4.5V,ID = -3.6A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 2W
Description & Applications P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed Typical Applications: • Battery Powered Instruments • Portable Computing • Mobile Phones • GPS Units and Media Players
描述与应用 P沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点： •低RDS（ON）的沟槽技术 •低热阻抗 •开关速度快 典型应用： •电池供电的仪器 •便携式计算 •手机 •GPS装置和媒体播放器

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
AM3457P
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