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Inventory:400 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：2SJ508
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0709NOPB 07NOPB200
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZE
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-100V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		1.9Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.8--2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE 4V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 4V栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ508
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