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  • Model：ECH8616
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04NOPB
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：FJ
  • Package：ECH8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		133mΩ@ VGS = 4V, ID = 0.5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1.2~2.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.3W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. • Composite type, facilitating high-density mounting
描述与应用N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 超高速开关应用 特点 •超高速开关。 •4V驱动器。 •复合型，促进高密度安装。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ECH8616
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