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  • Model：2SK2978ZY
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZY
  • Package：SOT-89/UPAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.09Ω/Ohm @1.5A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.09Ω typ. (VGS= 4 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5V gate drive devices
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=0.09Ω典型。 （VGS=4 V，ID= 1.5 A） 低驱动电流 高速开关 2.5V栅极驱动装置

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2978ZY
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