集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 300MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1.05W |
| Description & Applications | NPN switching transistor FEATURES • Low current (max. 200 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • High-speed saturated switching. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT223 plastic package. |
| 描述与应用 | NPN开关晶体管 特点 •低电流（最大200毫安） •低电压（最大40 V）。 应用 •高速开关饱和。 说明 NPN开关晶体管在SOT223塑料包装。 |