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Inventory:1000 Min Order：10
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  • Model：RTR020N05
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07NOPB 07NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：QF
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage45V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.18Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & Applications2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving−small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive).
描述与应用2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RTR020N05
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