| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.38Ω/Ohm @300mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 2.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 0.57 Ω MAX (VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A) RDS(on)2 = 0.60 Ω MAX(VGS = 4.0 V, ID = 0.30 A) RDS(on)3 = 0.88 Ω MAX(VGS = 2.5 V, ID = 0.15 A) |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于开关 2.5 V驱动器可用 低通态电阻 的RDS（on）= 0.57ΩMAX（VGS= 4.5 V，ID=0.30 A） RDS（on）=0.60Ω最大（VGS=4.0 V，ID=0.30） RDS（on）3= 0.88ΩMAX（VGS= 2.5V，ID=0.15 A） |