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  • Model：HN4C06J-GR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0805NOPB 08NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DG
  • Package：SOT-153/SMV

V(BR) CBO

Collector-Base Voltage

  120V

V(BR) CEO

Collector-Emitter Voltage

  120V
Collector Current(IC)  100MA/0.1A
Transtion Frequency(fT)  100MHZ
DC Current Gain(hFE)  200~700

VCE (sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

  0.3V
Power Dissipation （Pd）  0.3W
Description & Applications  Features• TOSHIBA Transistor  Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)• High voltage : VCEO = 120V • High hFE : hFE = 200~700 • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) • Low noise : NF = 1dB(typ.)• Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 
 
 
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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HN4C06J-GR
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