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Inventory:3500 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：CF930AR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C5F
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		10V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		10mA-80mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsGaAs N-Channel MES FET .Feature; Low noise figure .High gain .Low input Capacitance .High AGC-range .Large input signal behaviour .Very low cross modulation.
描述与应用砷化镓N沟道MES场效应管. 特点: 低噪声系数, 高增益, 低输入电容, 高AGC范围, 大输入信号, 极低的交叉调制.

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
CF930AR
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