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  • Model：RSS065N06FW6TB1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：RSS065N06
  • Package：sop8

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current6.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance48mΩ@ VGS =4V, ID =6.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package . Applications Switching
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 3）小型表面贴装封装。 应用 开关

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RSS065N06FW6TB1
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