集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 80mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 7GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 80~160 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type.
* VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
* Low noise figure, high gain.
* NF = 1.1dB, |S21e|2= 11dB (f = 1 GHz) |
| 描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延平面型。
* VHF〜UHF频段低噪声放大器的应用
*低噪声系数，高增益。
NF=1.1分贝，S21E|2=11分贝（F= 1千兆赫） |