集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 65V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~450 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | NPN general purpose transistor FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, especially in portable communication equipment • Electronic data processing (EDP) and consumer applications. |
| 描述与应用 | NPN通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大，特别是在便携式通信设备 •电子数据处理（EDP）和消费应用。 |