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Inventory:10900 Min Order：10
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  • Model：2SB1182T201R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：800
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：B1182
  • Package：TO-252/DPAK/SC-63/CPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−32V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 100MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		180~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−800mV/-0.8V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2) Complements the 2SD1758
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）补充2SD1758

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1182T201R
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