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  • Model：LMBT6517LT1G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：1Z
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		350V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		350V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		500mA/0.5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		40Mhz~200Mhz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		15~200
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		100mV~500mV
耗散功率Pc
Power Dissipation		225mW/0.225W
Description & ApplicationsHigh Voltage Transistors NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
描述与应用高电压晶体管NPN硅 产品符合RoHS要求的材料。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
LMBT6517LT1G
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