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  • Model：2SB1462J-Q
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 08NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AQ
  • Package：SOT-523

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−100mA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 80MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		180~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−500mV/-0.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		125mW/0.125W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor For general amplification Complementary to 2SD2216J Features 1)High foward current transfer ratio hFE. 2)Mini Power type package
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 对于一般的放大 补充型2SD2216J 特点 1）高FOWARD的电流传输比HFE。 2）小功率型封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1462J-Q
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