Please log in first
Home
Cart0
Inventory:6000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SIA912DJ
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：CAW
  • Package：SC70-6L(QFN)

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		4.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		63mΩ@ VGS =1.8V, ID =1.6A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		6.5W
Description & ApplicationsDual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET Power MOSFET - Small Footprint Area APPLICATIONS • Load Switch for Portable Applications
描述与应用双N沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点  •无卤  •TrenchFET功率MOSFET - 小占位面积 应用  •用于便携式应用的负载开关

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SIA912DJ
*Title：
Message：
*Code：