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  • Model：SSM6N37FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：SU
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 10V
最大漏极电流Id
Drain Current		 250mA/0.25A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		 2200mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 100mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 0.35~1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type • High-Speed Switching Applications • Analog Switching Applications • 1.5-V drive • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low ON-resistance RDS(ON) = 5.60 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) RDS(ON) = 4.05 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) RDS(ON) = 3.02 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 2.20 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •1.5-V驱动器 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻RDS（ON）= 5.60Ω（最大）（@ VGS= 1.5 V） RDS（ON）= 4.05Ω（最大值）（@ VGS=1.8 V） RDS（ON）= 3.02Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RDS（ON）=2.20Ω（最大）（@ VGS= 4.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N37FE
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