集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 300mA/0.3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 30MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~700 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATION. FEATURES ·High Emitter-Base Voltage : VEBO=25V(Min.) ·High Reverse hFE : Reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-2mA) ·Low on Resistance : RON=1Ω(Typ.), (IB=8mA) |
| 描述与应用 | 静音和开关应用。 特点 ·高发射极 - 基极电压VEBO= 25V（最小值） ·高反向HFE 反向HFE=150（典型值）（VCE=2V，IC=-2MA） ·低导通电阻RON=1Ω（典型值），（IB=8mA） |