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Inventory:4000 Min Order：10
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  • Model：BUK481-100A
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：00+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：41-10A
  • Package：SOT-223/SC-73/TO261-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.80Ω/Ohm @1A10v,
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.1-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation1.5W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mount applications. The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 1.5 W automotive and general purpose Tj Junction temperature 150 ˚C switching applications
描述与应用功率MOS晶体管 逻辑电平TOPFET N沟道增强型场效应功率晶体管在 塑料信封适合表面贴装应用。该设备是为了在P合计使用 总功耗为1.5 W 汽车和通用TJ 结温150˚C 开关应用

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BUK481-100A
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