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  • Model：PMV56XN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：1036NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WM5
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current3.76A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation1.92W
Description & ApplicationsµTrenchMOS™ enhanced logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. TrenchMOS™ technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package
描述与应用μTrenchMOS™增强逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装型封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMV56XN
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