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  • Model：SI3457CDV-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ATO
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4.1A/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.060Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0--3.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用功率MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3457CDV-T1-GE3
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