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Inventory:9000 Min Order：10
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  • Model：SI3495DV
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10NOPB 10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：95P
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.020Ω @-7A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.35V-0.75V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsFEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated • Ultra-Low On-Resistance • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 •根据IEC 61249-2-21的无卤素 定义 •的TrenchFET 功率MOSFET：1.5 V额定 •超低导通电阻 •100％的Rg 测试 •符合RoHS指令2002/95/EC

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3495DV
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