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Inventory:264040 Min Order：10
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  • Model：SSM6N16FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+20knopb 10+ROHS136K
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DS
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		3Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switching Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ●Low on resistance: Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●低导通电阻RON =3.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V） ：RON=15Ω（最大）（@ VGS=1.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N16FE
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