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Inventory:2700 Min Order：10
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  • Model：SSM3K02T
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11NOPB6 03+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KU
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @1250mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance : Ron = 120 mΩ (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 150 mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Low Gate Threshold Voltage: Vth = 0.6~1.1 V (@VDS = 3 V, ID = 0.1 mA)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 小包装 低导通电阻RON =120MΩ（最大）（@ VGS=4V） ：RON =150MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） 低栅极阈值电压VTH =0.6〜1.1 V（@ VDS=3 V，ID= 0.1毫安）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM3K02T
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