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  • Model：SI1555DL-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：RB
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V/-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V/8V
最大漏极电流Id
Drain Current		660mA/-570mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		630mΩ@ VGS =2.5V, ID =400mA/1.8Ω@ VGS =-2.5V, ID =-250mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.4V/-0.45~1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		270mW/0.27W
Description & ApplicationsComplementary Low-Threshold MOSFET Pair
描述与应用低阈值MOSFET对互补

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1555DL-T1-GE3
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