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Inventory:200 Min Order：10
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  • Model：RRQ045P03
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09NOPB 09+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：UB
  • Package：SOT-163/TSMT6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		53mΩ@ VGS = -4V, ID = -2.2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1~-2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & Applications4V Drive Pch MOSFET Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. Application Switching
描述与应用4V驱动P沟道MOSFET 特点 1）低导通电阻。 2）高功率封装。 3）高速开关。 应用 开关

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RRQ045P03
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