集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 150~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | PNP epitaxial planar transistor For low frequency amplifier application Feature Excellent linearity of DC current gain Small collector to emitter saturation voltage |
| 描述与应用 | PNP外延平面晶体管 对于低频放大器中的应用 特点 直流电流增益，出色的线性度 小集电极到发射极饱和电压 |