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Inventory:370 Min Order：10
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  • Model：NTR4503NT1G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：TR3
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.11Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation730mW/0.73W
Description & ApplicationsPower MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23 • Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching • 4.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive • SOT−23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) • Pb−Free Package is Available
描述与应用功率MOSFET 30 V，2.5 A单N沟道，SOT-23 •领先的平面技术，低栅极电荷/快速切换 •4.5 V额定低电压栅极驱动 •SOT-23表面贴装小尺寸（3×3毫米） •无铅包装是可用

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NTR4503NT1G
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