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Inventory:80 Min Order：10
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  • Model：APM2301CAC
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C01B
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.085Ω @-2A,-2.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.5--1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		830mW/0.83W
Description & ApplicationsP-Channel Enhancement Mode MOSFET -20V/-2.8A RDS(ON)= 56mW (typ.) @ VGS= -4.5V RDS(ON)= 85mW (typ.) @ VGS= -2.5V RDS(ON)= 106mW (typ.) @ VGS= -1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged
描述与应用P沟道增强型MOSFET -20V/-2.8A RDS（ON）=56mW（典型值）@ VGS=-4.5V RDS（ON）=85mW（典型值）@ VGS=-2.5V RDS（ON）=106mW（典型值）@ VGS=-1.8V 超级高密度电池设计 可靠耐用

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
APM2301CAC
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